на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 4.26 грн |
| 20000+ | 4.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS84AKMB,315 Nexperia
Description: NEXPERIA - BSS84AKMB,315 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 230 mA, 4.5 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-883B, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm.
Інші пропозиції BSS84AKMB,315 за ціною від 2.95 грн до 28.9 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS84AKMB,315 | Виробник : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - BSS84AKMB,315 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 230 mA, 4.5 ohm, SOT-883B, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-883B Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm |
на замовлення 13653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS84AKMB,315 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.23A Automotive 3-Pin DFN-B T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS84AKMB,315 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.23A Automotive 3-Pin DFN-B T/R |
на замовлення 16473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS84AKMB,315 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.23A Automotive 3-Pin DFN-B T/R |
на замовлення 16473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS84AKMB,315 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSS84AKMB,315 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 230 mA, 4.5 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-883B Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm |
на замовлення 13653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSS84AKMB,315 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 50V 230MA DFN1006B-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V |
на замовлення 3167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSS84AKMB,315 | Виробник : Nexperia |
MOSFET BSS84AKMB/SOT883B/XQFN3 |
на замовлення 20069 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| BSS84AKMB,315 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSS84AKMB,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
 |
BSS84AKMB,315 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.23A Automotive 3-Pin DFN-B T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
BSS84AKMB,315 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 50V 230MA DFN1006B-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V |
товар відсутній |