Продукція > NEXPERIA > BSS84AKQBZ
BSS84AKQBZ

BSS84AKQBZ Nexperia

bss84akqb.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 50V 0.27A 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2233+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 2233
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS84AKQBZ Nexperia

Description: BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V, Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), 4.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1110D-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +12V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSS84AKQBZ за ціною від 3.2 грн до 34.3 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSS84AKQBZ BSS84AKQBZ Виробник : NEXPERIA 3388613.pdf Description: NEXPERIA - BSS84AKQBZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 270 mA, 3.8 ohm, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSS84AKQBZ BSS84AKQBZ Виробник : Nexperia BSS84AKQB-2498534.pdf MOSFET BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.16 грн
15+ 21.65 грн
100+ 7.74 грн
1000+ 4.87 грн
10000+ 4.01 грн
25000+ 3.81 грн
50000+ 3.2 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSS84AKQBZ BSS84AKQBZ Виробник : NEXPERIA 3388613.pdf Description: NEXPERIA - BSS84AKQBZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 270 mA, 3.8 ohm, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+34.3 грн
32+ 23.74 грн
100+ 9.14 грн
Мінімальне замовлення: 22
BSS84AKQBZ Виробник : Nexperia USA Inc. BSS84AKQB.pdf Description: BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+5.04 грн
10000+ 4.2 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSS84AKQBZ Виробник : Nexperia USA Inc. BSS84AKQB.pdf Description: BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.89 грн
15+ 19.75 грн
100+ 9.97 грн
500+ 7.63 грн
1000+ 5.66 грн
2000+ 4.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSS84AKQBZ Виробник : NEXPERIA bss84akqb.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 0.27A 3-Pin DFN-D T/R
товар відсутній
BSS84AKQBZ BSS84AKQBZ Виробник : Nexperia bss84akqb.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 0.27A 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній