на замовлення 20117 шт:
термін постачання 322-331 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 93.47 грн |
| 10+ | 81.38 грн |
| 100+ | 55.35 грн |
| 500+ | 46.33 грн |
| 1000+ | 36.45 грн |
| 2500+ | 35.05 грн |
| 5000+ | 34.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ0702LSATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V.
Інші пропозиції BSZ0702LSATMA1 за ціною від 27.03 грн до 27.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSZ0702LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
BSZ0702LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V |
товар відсутній |
|||||
|
|
BSZ0702LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V |
товар відсутній |