BTA201-800ER,112 NXP USA Inc.
на замовлення 10686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1219+ | 17.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BTA201-800ER,112 NXP USA Inc.
Category: Triacs, Description: Triac; 800V; 1A; TO92; Igt: 10mA; Ifsm: 12.5A; 3Q,Hi-Com, Type of thyristor: triac, Max. off-state voltage: 0.8kV, Max. load current: 1A, Case: TO92, Gate current: 10mA, Max. forward impulse current: 12.5A, Technology: 3Q; Hi-Com, Features of semiconductor devices: sensitive gate, Mounting: THT, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BTA201-800ER,112
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
BTA201-800ER,112 | Виробник : Ween | TRIAC Diode 800V 1A(RMS) 13.7A 3-Pin SPT Bulk |
товар відсутній |
||
BTA201-800ER,112 | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: Triacs Description: Triac; 800V; 1A; TO92; Igt: 10mA; Ifsm: 12.5A; 3Q,Hi-Com Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.8kV Max. load current: 1A Case: TO92 Gate current: 10mA Max. forward impulse current: 12.5A Technology: 3Q; Hi-Com Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
BTA201-800ER,112 | Виробник : WeEn Semiconductors | Triacs 3 QUADRANT TRIAC |
товар відсутній |
||
BTA201-800ER,112 | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: Triacs Description: Triac; 800V; 1A; TO92; Igt: 10mA; Ifsm: 12.5A; 3Q,Hi-Com Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.8kV Max. load current: 1A Case: TO92 Gate current: 10mA Max. forward impulse current: 12.5A Technology: 3Q; Hi-Com Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT |
товар відсутній |