Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BU406G
BU406G

BU406G ON Semiconductor

bu406-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BU406G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BU406G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 7 A, 60 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 7A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BU406G за ціною від 34.05 грн до 106.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BU406G BU406G Виробник : ONSEMI BU406G.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 7A; 60W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 200V
Collector current: 7A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.14 грн
10+ 65.21 грн
14+ 57.6 грн
39+ 54.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
BU406G BU406G Виробник : ON Semiconductor bu406-d.pdf Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
149+78.61 грн
182+ 64.36 грн
500+ 56.5 грн
950+ 44.85 грн
2850+ 38.25 грн
Мінімальне замовлення: 149
BU406G BU406G Виробник : ON Semiconductor bu406-d.pdf Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+86.77 грн
10+ 73.74 грн
100+ 61.4 грн
500+ 50.56 грн
950+ 38.51 грн
2850+ 34.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
BU406G BU406G Виробник : ONSEMI BU406G.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 7A; 60W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 200V
Collector current: 7A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 182 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+89.9 грн
10+ 78.25 грн
14+ 69.12 грн
39+ 65.35 грн
250+ 62.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
BU406G BU406G Виробник : onsemi bu406-d.pdf Description: TRANS NPN 200V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 60 W
на замовлення 3638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+97.97 грн
50+ 75.86 грн
100+ 60.11 грн
500+ 47.82 грн
1000+ 38.96 грн
2000+ 36.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
BU406G BU406G Виробник : onsemi BU406_D-2310256.pdf Bipolar Transistors - BJT 7A 200V 60W NPN
на замовлення 4419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+106.44 грн
10+ 85.01 грн
100+ 58.07 грн
500+ 49.21 грн
950+ 40.09 грн
2850+ 39.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
BU406G BU406G Виробник : ON Semiconductor bu406-d.pdf Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU406G BU406G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0011215178-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BU406G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 7 A, 60 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 7A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
товар відсутній
BU406G BU406G Виробник : ON Semiconductor bu406-d.pdf Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
BU406G BU406G Виробник : ON Semiconductor bu406-d.pdf Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
BU406G BU406G Виробник : ON Semiconductor bu406-d.pdf Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній