на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK6D81-80EX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK6D81-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 9.8 A, 0.062 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 18.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 18.8W, Bauform - Transistor: DFN2020MD, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.062ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції BUK6D81-80EX за ціною від 6.67 грн до 41.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK6D81-80EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 80V 3.2A/9.8A 6DFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 9.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 18.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BUK6D81-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK6D81-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 9.8 A, 0.062 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 18.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 18.8W Bauform - Transistor: DFN2020MD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.062ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BUK6D81-80EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 3.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BUK6D81-80EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 3.2A/9.8A 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 9.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 18.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 18579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BUK6D81-80EX | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK6D81-80E/SOT1220/SOT1220 |
на замовлення 55631 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BUK6D81-80EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 3.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BUK6D81-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK6D81-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 9.8 A, 0.062 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 18.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 18.8W Bauform - Transistor: DFN2020MD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.062ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BUK6D81-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6.9A; Idm: 39A; 18.8W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 6.9A Pulsed drain current: 39A Power dissipation: 18.8W Case: DFN6; SOT1220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 197mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
| BUK6D81-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6.9A; Idm: 39A; 18.8W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 6.9A Pulsed drain current: 39A Power dissipation: 18.8W Case: DFN6; SOT1220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 197mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |