BUK6Y14-40PX NEXPERIA
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1500+ | 31.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK6Y14-40PX NEXPERIA
Description: MOSFET P-CH 40V 64A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK6Y14-40PX за ціною від 30.25 грн до 88.91 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BUK6Y14-40PX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -46A; Idm: -257A; 110W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -46A Pulsed drain current: -257A Power dissipation: 110W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
на замовлення 331 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BUK6Y14-40PX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 40V 64A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.8A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BUK6Y14-40PX | Виробник : Nexperia | MOSFET BUK6Y14-40P/SOT669/LFPAK |
на замовлення 29964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BUK6Y14-40PX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -46A; Idm: -257A; 110W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -46A Pulsed drain current: -257A Power dissipation: 110W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 331 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BUK6Y14-40PX | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 40V 64A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BUK6Y14-40PX | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 40V 64A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BUK6Y14-40PX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 40V 64A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.8A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |