BUK763R1-60E,118 NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK763R1-60E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.00234 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 293W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00234ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 14225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 97.36 грн |
| 800+ | 87.95 грн |
| 1600+ | 86.02 грн |
| 3200+ | 84.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK763R1-60E,118 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK763R1-60E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.00234 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 293W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 293W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00234ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00234ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції BUK763R1-60E,118 за ціною від 83.3 грн до 214.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK763R1-60E,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 293W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8920 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK763R1-60E,118 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK763R1-60E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.00234 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 293W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 293W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00234ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00234ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 14225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK763R1-60E,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 293W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8920 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK763R1-60E,118 | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK763R1-60E/SOT404/D2PAK |
на замовлення 1996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK763R1-60E,118 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BUK763R1-60E,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BUK763R1-60E,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 834A; 293W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 120A Pulsed drain current: 834A Power dissipation: 293W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 114nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| BUK763R1-60E,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 834A; 293W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 120A Pulsed drain current: 834A Power dissipation: 293W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 114nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |