BUK7K13-60EX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2163pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 48.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7K13-60EX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK7K13-60EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.008 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.008ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 64W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.008ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 64W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції BUK7K13-60EX за ціною від 41.29 грн до 126.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BUK7K13-60EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 64W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2163pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 2643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK7K13-60EX | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK7K13-60E/SOT1205/LFPAK56D |
на замовлення 2153 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK7K13-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7K13-60EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.008 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.008ohm Verlustleistung, p-Kanal: 64W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.008ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 64W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK7K13-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BUK7K13-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7K13-60EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.008 ohm, LFPAK56D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60 usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.008 Verlustleistung, p-Kanal: 64 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60 euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.008 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 64 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BUK7K13-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 38A; Idm: 213A; 64W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 38A Pulsed drain current: 213A Power dissipation: 64W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
BUK7K13-60EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BUK7K13-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 38A; Idm: 213A; 64W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 38A Pulsed drain current: 213A Power dissipation: 64W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |