BUK7K15-80EX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 80V 23A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2457pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 48.16 грн |
| 3000+ | 44.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7K15-80EX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK7K15-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 23 A, 23 A, 0.0112 ohm, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0112, Anzahl der Pins: 8, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Produktpalette: -, Bauform - Transistor: SOT-1205, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Verlustleistung, n-Kanal: 68, Drain-Source-Spannung Vds: 80, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80, Verlustleistung, p-Kanal: 68, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112, Dauer-Drainstrom Id: 23, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0112, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: 68, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції BUK7K15-80EX за ціною від 51.3 грн до 532.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BUK7K15-80EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 80V 23A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 68W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2457pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BUK7K15-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7K15-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 23 A, 23 A, 0.0112 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0112 Anzahl der Pins: 8 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23 MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Produktpalette: - Bauform - Transistor: SOT-1205 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung, n-Kanal: 68 Drain-Source-Spannung Vds: 80 Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80 Verlustleistung, p-Kanal: 68 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80 Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112 Dauer-Drainstrom Id: 23 rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0112 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 68 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| BUK7K15-80EX | Виробник : NXP |
Trans MOSFET N-CH 80V 23A Automotive 8-Pin LFPAK-D BUK7K15-80EX BUK7K15-80EX TBUK7k15-80ex кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| BUK7K15-80EX | Виробник : NXP |
Trans MOSFET N-CH 80V 23A Automotive 8-Pin LFPAK-D BUK7K15-80EX BUK7K15-80EX TBUK7k15-80ex кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
BUK7K15-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 80V 23A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R |
товар відсутній |
|||||||||||
| BUK7K15-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 16A; Idm: 92A; 68W Application: automotive industry Drain current: 16A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET x2 Kind of package: reel; tape Case: LFPAK56D; SOT1205 On-state resistance: 38mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 92A Power dissipation: 68W Gate charge: 35.1nC Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
 |
BUK7K15-80EX | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK7K15-80E/SOT1205/LFPAK56D |
товар відсутній |
|||||||||||
| BUK7K15-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 16A; Idm: 92A; 68W Application: automotive industry Drain current: 16A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET x2 Kind of package: reel; tape Case: LFPAK56D; SOT1205 On-state resistance: 38mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 92A Power dissipation: 68W Gate charge: 35.1nC Polarisation: unipolar |
товар відсутній |