BUK7M19-60EX NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7M19-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36 A, 0.015 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 27.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7M19-60EX NEXPERIA
Description: MOSFET N-CH 60V 35.8A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 55W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK7M19-60EX за ціною від 17.25 грн до 70.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK7M19-60EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 2839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK7M19-60EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 2839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK7M19-60EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 35.8A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK7M19-60EX | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK7M19-60E/SOT1210/mLFPAK |
на замовлення 3914 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK7M19-60EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BUK7M19-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 36A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BUK7M19-60EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BUK7M19-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25.3A; Idm: 143A; 55W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 25.3A Pulsed drain current: 143A Power dissipation: 55W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 42mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
BUK7M19-60EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 35.8A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BUK7M19-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25.3A; Idm: 143A; 55W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 25.3A Pulsed drain current: 143A Power dissipation: 55W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 42mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |