Продукція > NEXPERIA > BUK7M45-40EX
BUK7M45-40EX

BUK7M45-40EX NEXPERIA


NEXP-S-A0003105564-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7M45-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.033 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 31W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+15.65 грн
4500+ 14.68 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK7M45-40EX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BUK7M45-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.033 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 31W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: SOT-1210, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції BUK7M45-40EX за ціною від 10.34 грн до 44.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BUK7M45-40EX BUK7M45-40EX Виробник : Nexperia 1746856193448022buk7m45-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 2148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
28+20.91 грн
30+ 19.54 грн
100+ 16.74 грн
250+ 15.35 грн
500+ 13.32 грн
1000+ 10.34 грн
Мінімальне замовлення: 28
BUK7M45-40EX BUK7M45-40EX Виробник : Nexperia 1746856193448022buk7m45-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 2148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
557+21.04 грн
626+ 18.7 грн
633+ 18.51 грн
699+ 16.14 грн
1000+ 11.6 грн
Мінімальне замовлення: 557
BUK7M45-40EX BUK7M45-40EX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK7M45-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 19A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 317 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.78 грн
10+ 36.44 грн
100+ 25.34 грн
500+ 18.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
BUK7M45-40EX BUK7M45-40EX Виробник : Nexperia BUK7M45_40E-1539909.pdf MOSFET BUK7M45-40E/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 2893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.94 грн
10+ 35.7 грн
100+ 23.1 грн
500+ 18.29 грн
1000+ 14.62 грн
1500+ 11.08 грн
24000+ 11.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
BUK7M45-40EX BUK7M45-40EX Виробник : NEXPERIA 1746856193448022buk7m45-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R
товар відсутній
BUK7M45-40EX BUK7M45-40EX Виробник : Nexperia 1746856193448022buk7m45-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товар відсутній
BUK7M45-40EX BUK7M45-40EX Виробник : Nexperia 1746856193448022buk7m45-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товар відсутній
BUK7M45-40EX BUK7M45-40EX Виробник : Nexperia 1746856193448022buk7m45-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товар відсутній
BUK7M45-40EX Виробник : NEXPERIA BUK7M45-40E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 13A; Idm: 77A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 77A
Power dissipation: 31W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 89mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BUK7M45-40EX BUK7M45-40EX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK7M45-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 19A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 317 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BUK7M45-40EX Виробник : NEXPERIA BUK7M45-40E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 13A; Idm: 77A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 77A
Power dissipation: 31W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 89mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній