Продукція > NEXPERIA > BUK7Y22-100EX
BUK7Y22-100EX

BUK7Y22-100EX NEXPERIA


3012595554136698buk7y22-100e.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 100V 49A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 124500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+31.78 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK7Y22-100EX NEXPERIA

Description: MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 147W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2920 pF @ 25 V.

Інші пропозиції BUK7Y22-100EX за ціною від 28.02 грн до 39.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BUK7Y22-100EX BUK7Y22-100EX Виробник : Nexperia 3012595554136698buk7y22-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 49A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 124500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+36.74 грн
3000+ 33.95 грн
7500+ 33.44 грн
9000+ 31.3 грн
10500+ 28.02 грн
Мінімальне замовлення: 1500
BUK7Y22-100EX BUK7Y22-100EX Виробник : Nexperia 3012595554136698buk7y22-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 49A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 124500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+39.47 грн
3000+ 36.48 грн
7500+ 35.93 грн
9000+ 33.62 грн
10500+ 30.1 грн
Мінімальне замовлення: 1500
BUK7Y22-100EX BUK7Y22-100EX Виробник : Nexperia 3012595554136698buk7y22-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 49A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товар відсутній
BUK7Y22-100EX Виробник : NEXPERIA BUK7Y22-100E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 196A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 196A
Power dissipation: 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BUK7Y22-100EX BUK7Y22-100EX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK7Y22-100E.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2920 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK7Y22-100EX BUK7Y22-100EX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK7Y22-100E.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2920 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK7Y22-100EX BUK7Y22-100EX Виробник : Nexperia BUK7Y22_100E-2937739.pdf MOSFET BUK7Y22-100E/SOT669/LFPAK
товар відсутній
BUK7Y22-100EX Виробник : NEXPERIA BUK7Y22-100E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 196A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 196A
Power dissipation: 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній