BUK7Y6R0-60EX Nexperia
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 48.79 грн |
| 3000+ | 46.51 грн |
| 7500+ | 46.3 грн |
| 9000+ | 42.79 грн |
| 10500+ | 38.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7Y6R0-60EX Nexperia
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 85A; Idm: 482A; 195W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 85A, Pulsed drain current: 482A, Power dissipation: 195W, Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 13.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 45.4nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Application: automotive industry, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BUK7Y6R0-60EX за ціною від 39.19 грн до 110.6 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BUK7Y6R0-60EX | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK7Y6R0-60EX | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK7Y6R0-60E/SOT669/LFPAK |
на замовлення 50398 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK7Y6R0-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BUK7Y6R0-60EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BUK7Y6R0-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 85A; Idm: 482A; 195W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 85A Pulsed drain current: 482A Power dissipation: 195W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
BUK7Y6R0-60EX | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: TRANSISTOR >30MHZ |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BUK7Y6R0-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 85A; Idm: 482A; 195W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 85A Pulsed drain current: 482A Power dissipation: 195W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |