Продукція > NEXPERIA > BUK7Y8R7-60EX
BUK7Y8R7-60EX

BUK7Y8R7-60EX NEXPERIA


BUK7Y8R7-60E.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7Y8R7-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 87 A, 0.00527 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 147W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00527ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00527ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1052 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+71.45 грн
13+ 61.86 грн
100+ 52.35 грн
500+ 39.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK7Y8R7-60EX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BUK7Y8R7-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 87 A, 0.00527 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 87A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 147W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 147W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00527ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00527ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції BUK7Y8R7-60EX за ціною від 33.31 грн до 119.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BUK7Y8R7-60EX BUK7Y8R7-60EX Виробник : Nexperia BUK7Y8R7_60E-2937656.pdf MOSFET BUK7Y8R7-60E/SOT669/LFPAK
на замовлення 12455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+92.69 грн
10+ 81.38 грн
100+ 59.08 грн
500+ 50 грн
1000+ 47.13 грн
1500+ 33.38 грн
3000+ 33.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
BUK7Y8R7-60EX BUK7Y8R7-60EX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK7Y8R7-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 87A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3159 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.05 грн
10+ 85.68 грн
100+ 66.63 грн
500+ 53 грн
Мінімальне замовлення: 3
BUK7Y8R7-60EX Виробник : NEXPERIA BUK7Y8R7-60E.pdf BUK7Y8R7-60EX SMD N channel transistors
на замовлення 862 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.53 грн
13+ 75.94 грн
36+ 71.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
BUK7Y8R7-60EX BUK7Y8R7-60EX Виробник : NEXPERIA 2748300671385185buk7y8r7-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 87A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товар відсутній
BUK7Y8R7-60EX BUK7Y8R7-60EX Виробник : NEXPERIA 2748300671385185buk7y8r7-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 87A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товар відсутній
BUK7Y8R7-60EX BUK7Y8R7-60EX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK7Y8R7-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 87A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3159 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній