BUK965R8-100E,118 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17460 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 144.47 грн |
| 1600+ | 119.12 грн |
| 2400+ | 112.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK965R8-100E,118 Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 5V, Power Dissipation (Max): 357W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17460 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK965R8-100E,118 за ціною від 110.55 грн до 259.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BUK965R8-100E,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 5V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17460 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK965R8-100E,118 | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK965R8-100E/SOT404/D2PAK |
на замовлення 2532 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK965R8-100E,118 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BUK965R8-100E,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BUK965R8-100E,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 105A; Idm: 591A; 349W Mounting: SMD Case: D2PAK; SOT404 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 591A Drain-source voltage: 100V Drain current: 105A On-state resistance: 16mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 349W Polarisation: unipolar Gate charge: 133nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| BUK965R8-100E,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 105A; Idm: 591A; 349W Mounting: SMD Case: D2PAK; SOT404 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 591A Drain-source voltage: 100V Drain current: 105A On-state resistance: 16mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 349W Polarisation: unipolar Gate charge: 133nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V |
товар відсутній |