BUK98150-55A/CUF Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 11.16 грн |
8000+ | 10.2 грн |
12000+ | 9.48 грн |
28000+ | 8.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK98150-55A/CUF Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK98150-55A/CUF за ціною від 9.12 грн до 42.28 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BUK98150-55A/CUF | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 5.5A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BUK98150-55A/CUF | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 5.5A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BUK98150-55A/CUF | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3A; Idm: 22A; 8W; SC73,SOT223 Kind of package: reel; tape Drain current: 3A On-state resistance: 276mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 8W Polarisation: unipolar Gate charge: 5.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±15V Pulsed drain current: 22A Mounting: SMD Case: SC73; SOT223 Drain-source voltage: 55V |
на замовлення 3363 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BUK98150-55A/CUF | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK98150-55A/CUF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.5 A, 0.116 ohm, SC-73, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 8W Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.116ohm |
на замовлення 4681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BUK98150-55A/CUF | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3A; Idm: 22A; 8W; SC73,SOT223 Kind of package: reel; tape Drain current: 3A On-state resistance: 276mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 8W Polarisation: unipolar Gate charge: 5.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±15V Pulsed drain current: 22A Mounting: SMD Case: SC73; SOT223 Drain-source voltage: 55V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3363 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BUK98150-55A/CUF | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 5.5A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BUK98150-55A/CUF | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 110459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BUK98150-55A/CUF | Виробник : Nexperia | MOSFET BUK98150-55A/SOT223/SC-73 |
на замовлення 40731 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BUK98150-55A/CUF | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK98150-55A/CUF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.5 A, 0.116 ohm, SC-73, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 8W Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.116ohm |
на замовлення 4681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BUK98150-55A/CUF | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 5.5A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BUK98150-55A/CUF | Виробник : NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 55V 5.5A Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BUK98150-55A/CUF | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 5.5A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
товар відсутній |