BUK9K18-40E,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1061pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 30.51 грн |
| 3000+ | 27.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9K18-40E,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK9K18-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0135 ohm, SOT-1205, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: SOT-1205, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm.
Інші пропозиції BUK9K18-40E,115 за ціною від 24.52 грн до 82.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BUK9K18-40E,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 38W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1061pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9K18-40E,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK9K18-40E/SOT1205/LFPAK56D |
на замовлення 4526 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9K18-40E,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9K18-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0135 ohm, SOT-1205, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: SOT-1205 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm |
на замовлення 4988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9K18-40E,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 30A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BUK9K18-40E,115 | Виробник : NEXPERIA |
BUK9K18-40E.115 Multi channel transistors |
товар відсутній |