BUK9K20-80EX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 80V 23A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3462pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 56.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9K20-80EX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK9K20-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 23 A, 23 A, 0.0142 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0142ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 68W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-1205, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0142ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 68W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції BUK9K20-80EX за ціною від 51.02 грн до 139.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK9K20-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9K20-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 23 A, 23 A, 0.0142 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0142ohm Verlustleistung, p-Kanal: 68W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-1205 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0142ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 68W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 2937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9K20-80EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 80V 23A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 68W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3462pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9K20-80EX | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK9K20-80E/SOT1205/LFPAK56D |
на замовлення 3087 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9K20-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9K20-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 23 A, 23 A, 0.0142 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0142ohm Verlustleistung, p-Kanal: 68W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-1205 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0142ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 68W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 2937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9K20-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 80V 23A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BUK9K20-80EX | Виробник : NEXPERIA |
BUK9K20-80EX Multi channel transistors |
товар відсутній |