BUK9M12-60EX NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M12-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 54 A, 0.009 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
на замовлення 2148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 42.46 грн |
| 200+ | 36.51 грн |
| 500+ | 31.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9M12-60EX NEXPERIA
Description: MOSFET N-CH 60V 54A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2769 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK9M12-60EX за ціною від 23.43 грн до 77.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK9M12-60EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 54A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2769 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9M12-60EX | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK9M12-60E/SOT1210/mLFPAK |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9M12-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9M12-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 54 A, 0.009 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm |
на замовлення 2148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9M12-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 54A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BUK9M12-60EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 54A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BUK9M12-60EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 54A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BUK9M12-60EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 54A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BUK9M12-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 38A; Idm: 216A; 79W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 38A Pulsed drain current: 216A Power dissipation: 79W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
BUK9M12-60EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 54A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2769 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BUK9M12-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 38A; Idm: 216A; 79W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 38A Pulsed drain current: 216A Power dissipation: 79W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |