BUK9M17-30EX

BUK9M17-30EX Nexperia USA Inc.


BUK9M17-30E.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+19.59 грн
3000+ 16.8 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9M17-30EX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 44W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BUK9M17-30EX за ціною від 14.15 грн до 49.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BUK9M17-30EX BUK9M17-30EX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK9M17-30E.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.22 грн
10+ 38.32 грн
100+ 26.53 грн
500+ 20.8 грн
Мінімальне замовлення: 7
BUK9M17-30EX BUK9M17-30EX Виробник : Nexperia BUK9M17_30E-1539863.pdf MOSFET BUK9M17-30E/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+49.23 грн
10+ 42.07 грн
100+ 25.3 грн
500+ 21.16 грн
1500+ 17.96 грн
3000+ 15.09 грн
9000+ 14.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
BUK9M17-30EX BUK9M17-30EX Виробник : NEXPERIA 1747135917583532buk9m17-30e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R
товар відсутній
BUK9M17-30EX BUK9M17-30EX Виробник : Nexperia 1747135917583532buk9m17-30e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товар відсутній
BUK9M17-30EX BUK9M17-30EX Виробник : Nexperia 1747135917583532buk9m17-30e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товар відсутній
BUK9M17-30EX BUK9M17-30EX Виробник : Nexperia 1747135917583532buk9m17-30e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товар відсутній
BUK9M17-30EX BUK9M17-30EX Виробник : Nexperia 1747135917583532buk9m17-30e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товар відсутній
BUK9M17-30EX Виробник : NEXPERIA BUK9M17-30E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 26A; Idm: 148A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 148A
Power dissipation: 44W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BUK9M17-30EX Виробник : NEXPERIA BUK9M17-30E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 26A; Idm: 148A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 148A
Power dissipation: 44W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній