BUK9M19-60EX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 38A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1814 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 22.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9M19-60EX Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 38A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 62W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1814 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK9M19-60EX за ціною від 18.03 грн до 106.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BUK9M19-60EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 38A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1814 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9M19-60EX | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK9M19-60E/SOT1210/mLFPAK |
на замовлення 1016 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BUK9M19-60EX | Виробник : NXP |
N-MOSFET 60V 38A 5V 62W AUTOMOTIVE BUK9M19-60EX TBUK9m19-60ex кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
BUK9M19-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BUK9M19-60EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BUK9M19-60EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BUK9M19-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 26.8A; Idm: 152A; 62W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 26.8A Pulsed drain current: 152A Power dissipation: 62W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 43mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| BUK9M19-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 26.8A; Idm: 152A; 62W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 26.8A Pulsed drain current: 152A Power dissipation: 62W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 43mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |