на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4500+ | 15.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9M20-40HX NEXPERIA
Description: MOSFET N-CH 40V 25A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +16V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK9M20-40HX за ціною від 13.86 грн до 54.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK9M20-40HX | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 40V 25A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BUK9M20-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 25A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BUK9M20-40HX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 25A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BUK9M20-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9M20-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.0158 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BUK9M20-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 25A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 5370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BUK9M20-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 25A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 5370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BUK9M20-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 25A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BUK9M20-40HX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 25A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BUK9M20-40HX | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK9M20-40H/SOT1210/mLFPAK |
на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BUK9M20-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9M20-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.0158 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BUK9M20-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 25A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
BUK9M20-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 25A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
| BUK9M20-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 22A; Idm: 125A; 38W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 22A Pulsed drain current: 125A Power dissipation: 38W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 48.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
| BUK9M20-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 22A; Idm: 125A; 38W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 22A Pulsed drain current: 125A Power dissipation: 38W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 48.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |