на замовлення 375000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 21.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9M28-80EX NEXPERIA
Description: MOSFET N-CH 80V 33A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2275 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK9M28-80EX за ціною від 20.87 грн до 60.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK9M28-80EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 80V 33A LFPAK33Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2275 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9M28-80EX | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK9M28-80E/SOT1210/mLFPAK |
на замовлення 3202 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9M28-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9M28-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33 A, 0.02 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
BUK9M28-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9M28-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33 A, 0.02 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
BUK9M28-80EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 33A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BUK9M28-80EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 33A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BUK9M28-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23.1A; Idm: 131A; 75W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 23.1A Pulsed drain current: 131A Power dissipation: 75W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
BUK9M28-80EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 33A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2275 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BUK9M28-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23.1A; Idm: 131A; 75W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 23.1A Pulsed drain current: 131A Power dissipation: 75W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |