BUK9M3R3-40HX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 80A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3766 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 48.22 грн |
| 3000+ | 44.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9M3R3-40HX Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 80A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 101W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3766 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK9M3R3-40HX за ціною від 41.05 грн до 110.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BUK9M3R3-40HX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 80A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 101W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3766 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4066 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9M3R3-40HX | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK9M3R3-40H/SOT1210/mLFPAK |
на замовлення 34995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BUK9M3R3-40HX | Виробник : NXP |
N-MOSFET (Gate Level LL) 40V 3.3mOhm 80A 1.48K/W BUK9M3R3-40H TBUK9m3r3-40h кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BUK9M3R3-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
BUK9M3R3-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BUK9M3R3-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BUK9M3R3-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 475A; 101W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 80A Pulsed drain current: 475A Power dissipation: 101W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 9.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| BUK9M3R3-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 475A; 101W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 80A Pulsed drain current: 475A Power dissipation: 101W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 9.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |