BUK9M4R3-40HX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 95A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +16V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 106.46 грн |
| 10+ | 83.66 грн |
| 100+ | 65.06 грн |
| 500+ | 51.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9M4R3-40HX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK9M4R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 95 A, 0.0043 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 90W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: LFPAK33, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції BUK9M4R3-40HX за ціною від 37.19 грн до 121.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK9M4R3-40HX | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK9M4R3-40H/SOT1210/mLFPAK |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9M4R3-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9M4R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 95 A, 0.0043 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 90W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: LFPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9M4R3-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 95A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BUK9M4R3-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 95A 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| BUK9M4R3-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 69A; Idm: 392A; 90W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 69A Pulsed drain current: 392A Power dissipation: 90W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 43nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
BUK9M4R3-40HX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 95A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 90W Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +16V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BUK9M4R3-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 69A; Idm: 392A; 90W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 69A Pulsed drain current: 392A Power dissipation: 90W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 43nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |