BUK9M5R0-40HX NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M5R0-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.005 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 62.46 грн |
| 500+ | 49.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9M5R0-40HX NEXPERIA
Description: MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 85A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W, Supplier Device Package: LFPAK33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): +16V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK9M5R0-40HX за ціною від 34.15 грн до 110.4 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK9M5R0-40HX | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK9M5R0-40H/SOT1210/mLFPAK |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUK9M5R0-40HX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 85A, 10V Power Dissipation (Max): 83W Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +16V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK9M5R0-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9M5R0-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.005 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm |
на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUK9M5R0-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 85A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| BUK9M5R0-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 85A 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| BUK9M5R0-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 61.7A; Idm: 349A; 83W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 61.7A Pulsed drain current: 349A Power dissipation: 83W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 39nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
BUK9M5R0-40HX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 85A, 10V Power Dissipation (Max): 83W Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +16V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| BUK9M5R0-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 61.7A; Idm: 349A; 83W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 61.7A Pulsed drain current: 349A Power dissipation: 83W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 39nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |