BUK9M9R1-40EX Nexperia
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 272+ | 43.03 грн |
| 274+ | 42.76 грн |
| 323+ | 36.24 грн |
| 326+ | 34.71 грн |
| 500+ | 28.49 грн |
| 1000+ | 21.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9M9R1-40EX Nexperia
Description: MOSFET N-CH 40V 64A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK9M9R1-40EX за ціною від 20.12 грн до 65.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BUK9M9R1-40EX | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 40V 64A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 2994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9M9R1-40EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 64A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9M9R1-40EX | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK9M9R1-40E/SOT1210/mLFPAK |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9M9R1-40EX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 64A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BUK9M9R1-40EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 64A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BUK9M9R1-40EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 45.5A; Idm: 258A; 75W Power dissipation: 75W Case: LFPAK33; SOT1210 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry On-state resistance: 18.1mΩ Drain current: 45.5A Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 16.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 258A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
BUK9M9R1-40EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 64A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BUK9M9R1-40EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 45.5A; Idm: 258A; 75W Power dissipation: 75W Case: LFPAK33; SOT1210 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry On-state resistance: 18.1mΩ Drain current: 45.5A Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 16.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 258A |
товар відсутній |