BUK9Y104-100B,115 Nexperia
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 18.54 грн |
| 9000+ | 18.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9Y104-100B,115 Nexperia
Description: MOSFET N-CH 100V 14.8A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 59W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1139 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK9Y104-100B,115 за ціною від 16.71 грн до 52.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BUK9Y104-100B,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 100V 14.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9Y104-100B,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 14.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9Y104-100B,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 14.8A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1139 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9Y104-100B,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 14.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9Y104-100B,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK9Y104-100B/SOT669/LFPAK |
на замовлення 11990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9Y104-100B,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 14.8A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1139 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9Y104-100B,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 14.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BUK9Y104-100B,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 14.8A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BUK9Y104-100B,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10.48A; Idm: 59A; 59W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10.48A Pulsed drain current: 59A Power dissipation: 59W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| BUK9Y104-100B,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10.48A; Idm: 59A; 59W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10.48A Pulsed drain current: 59A Power dissipation: 59W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |