BUK9Y1R3-40HX NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y1R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 960 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.62V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 153.61 грн |
| 500+ | 123.91 грн |
| 1500+ | 109.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9Y1R3-40HX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y1R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 960 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.62V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 395W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції BUK9Y1R3-40HX за ціною від 104.29 грн до 252.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK9Y1R3-40HX | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK9Y1R3-40H/SOT669/LFPAK |
на замовлення 484 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9Y1R3-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y1R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 960 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.62V euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BUK9Y1R3-40HX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: BUK9Y1R3-40H/SOT669/LFPAK Packaging: Cut Tape (CT) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc) Power Dissipation (Max): 395W (Tc) Grade: Automotive Vgs (Max): +16V, -10V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BUK9Y1R3-40HX | Виробник : NEXPERIA |
N-channel logic level MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
BUK9Y1R3-40HX | Виробник : Nexperia |
N-channel logic level MOSFET Automotive AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BUK9Y1R3-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; Idm: 600A; 395W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 190A Pulsed drain current: 600A Power dissipation: 395W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 On-state resistance: 3.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 139nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| BUK9Y1R3-40HX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: BUK9Y1R3-40H/SOT669/LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc) Power Dissipation (Max): 395W (Tc) Grade: Automotive Vgs (Max): +16V, -10V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| BUK9Y1R3-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; Idm: 600A; 395W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 190A Pulsed drain current: 600A Power dissipation: 395W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 On-state resistance: 3.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 139nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |