BUK9Y2R8-40HX NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y2R8-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0024 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 172W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 65.72 грн |
| 500+ | 59.78 грн |
| 1000+ | 53.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9Y2R8-40HX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y2R8-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0024 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 172W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції BUK9Y2R8-40HX за ціною від 53.97 грн до 110.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BUK9Y2R8-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y2R8-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0024 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V euEccn: NLR Verlustleistung: 172W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9Y2R8-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9Y2R8-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9Y2R8-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BUK9Y2R8-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BUK9Y2R8-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 600A; 172W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Pulsed drain current: 600A Power dissipation: 172W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 On-state resistance: 8.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 62nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| BUK9Y2R8-40HX | Виробник : Nexperia USA Inc. | Description: BUK9Y2R8-40H/SOT669/LFPAK |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
BUK9Y2R8-40HX | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK9Y2R8-40H/SOT669/LFPAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BUK9Y2R8-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 600A; 172W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Pulsed drain current: 600A Power dissipation: 172W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 On-state resistance: 8.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 62nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |