на замовлення 12666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 112.65 грн |
| 10+ | 92.66 грн |
| 100+ | 63.8 грн |
| 250+ | 62.53 грн |
| 500+ | 53.94 грн |
| 1000+ | 50.28 грн |
| 1500+ | 42.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9Y3R0-40E,115 Nexperia
Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 194W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5962 pF @ 25 V.
Інші пропозиції BUK9Y3R0-40E,115
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK9Y3R0-40E,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|
 |
BUK9Y3R0-40E,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|
|
|
BUK9Y3R0-40E,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|
 |
BUK9Y3R0-40E,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 194W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5962 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
BUK9Y3R0-40E,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 194W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5962 pF @ 25 V |
товар відсутній |