BUK9Y6R5-40HX

BUK9Y6R5-40HX Nexperia USA Inc.


BUK9Y6R5-40H.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2036 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+32.54 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9Y6R5-40HX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 64W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2036 pF @ 25 V.

Інші пропозиції BUK9Y6R5-40HX за ціною від 24.23 грн до 71.5 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BUK9Y6R5-40HX BUK9Y6R5-40HX Виробник : Nexperia BUK9Y6R5_40H-2937958.pdf MOSFET BUK9Y6R5-40H/SOT669/LFPAK
на замовлення 4692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.49 грн
10+ 52.67 грн
100+ 35.65 грн
500+ 30.24 грн
1000+ 26.97 грн
1500+ 26.64 грн
3000+ 24.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
BUK9Y6R5-40HX BUK9Y6R5-40HX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK9Y6R5-40H.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2036 pF @ 25 V
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.5 грн
10+ 61.62 грн
25+ 58.47 грн
100+ 45.08 грн
250+ 42.14 грн
500+ 37.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
BUK9Y6R5-40HX BUK9Y6R5-40HX Виробник : NEXPERIA buk9y6r5-40h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товар відсутній
BUK9Y6R5-40HX BUK9Y6R5-40HX Виробник : NEXPERIA buk9y6r5-40h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товар відсутній
BUK9Y6R5-40HX BUK9Y6R5-40HX Виробник : Nexperia buk9y6r5-40h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товар відсутній
BUK9Y6R5-40HX Виробник : NEXPERIA BUK9Y6R5-40H.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 284A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 284A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BUK9Y6R5-40HX Виробник : NEXPERIA BUK9Y6R5-40H.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 284A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 284A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній