BUK9Y7R6-40E,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 79A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2403 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 32.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9Y7R6-40E,115 Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 79A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 95W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2403 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK9Y7R6-40E,115 за ціною від 24.24 грн до 71.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK9Y7R6-40E,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 79A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BUK9Y7R6-40E,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 79A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BUK9Y7R6-40E,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK9Y7R6-40E/SOT669/LFPAK |
на замовлення 9133 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BUK9Y7R6-40E,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 79A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2403 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
 |
BUK9Y7R6-40E,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 79A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
| BUK9Y7R6-40E,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56A; Idm: 315A; 95W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 56A Pulsed drain current: 315A Power dissipation: 95W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 7.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
| BUK9Y7R6-40E,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56A; Idm: 315A; 95W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 56A Pulsed drain current: 315A Power dissipation: 95W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 7.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level Application: automotive industry |
товар відсутній |