BXP12N65F

BXP12N65F BRIDGELUX


BXP12N65.pdf Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.7A; Idm: 48A; 51W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 51W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 634 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+61.41 грн
9+ 41.73 грн
25+ 32.16 грн
69+ 30.4 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BXP12N65F BRIDGELUX

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.7A; Idm: 48A; 51W; TO220F, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 7.7A, Pulsed drain current: 48A, Power dissipation: 51W, Case: TO220F, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.8Ω, Mounting: THT, Gate charge: 39nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції BXP12N65F за ціною від 36.49 грн до 73.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BXP12N65F BXP12N65F Виробник : BRIDGELUX BXP12N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.7A; Idm: 48A; 51W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 51W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 634 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+73.69 грн
5+ 52 грн
25+ 38.59 грн
69+ 36.49 грн
Мінімальне замовлення: 4