C3M0120100K

C3M0120100K Wolfspeed, Inc.


Wolfspeed_C3M0120100K_data_sheet.pdf Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1000V 22A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 2534 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+780.15 грн
30+ 630.12 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис C3M0120100K Wolfspeed, Inc.

Description: SICFET N-CH 1000V 22A TO247-4L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V.

Інші пропозиції C3M0120100K за ціною від 633.97 грн до 1175.1 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
C3M0120100K C3M0120100K Виробник : Wolfspeed Wolfspeed_C3M0120100K_data_sheet.pdf MOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+847.62 грн
30+ 729.07 грн
C3M0120100K C3M0120100K Виробник : MACOM Wolfspeed_C3M0120100K_data_sheet.pdf MOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1047.29 грн
10+ 916.69 грн
30+ 777.81 грн
60+ 692.57 грн
120+ 666.6 грн
270+ 633.97 грн
C3M0120100K C3M0120100K Виробник : WOLFSPEED Wolfspeed_C3M0120100K_data_sheet.pdf Description: WOLFSPEED - C3M0120100K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1 kV, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1175.1 грн
5+ 1057.07 грн
10+ 938.29 грн
50+ 819.93 грн
100+ 721.64 грн
250+ 685.79 грн
C3M0120100K
Код товару: 178240
Wolfspeed_C3M0120100K_data_sheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0120100K C3M0120100K Виробник : Wolfspeed c3m0120100k.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0120100K Виробник : Wolfspeed c3m0120100k.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0120100K C3M0120100K Виробник : Wolfspeed(CREE) C3M0120100K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 13.5A; 83W; TO247-4; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 21.5nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -4...15V
Mounting: THT
Case: TO247-4
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 13.5A
On-state resistance: 0.17Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0120100K C3M0120100K Виробник : Wolfspeed(CREE) C3M0120100K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 13.5A; 83W; TO247-4; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 21.5nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -4...15V
Mounting: THT
Case: TO247-4
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 13.5A
On-state resistance: 0.17Ω
товар відсутній