CSD18534KCS Texas Instruments
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 36.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18534KCS Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 45A/100A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 107W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 30 V.
Інші пропозиції CSD18534KCS за ціною від 34.76 грн до 104.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD18534KCS | Виробник : Texas Instruments |
 Description: MOSFET N-CH 60V 45A/100A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 30 V |
на замовлення 291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD18534KCS | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET 60V N-Chnl NexFET Pwr MOSFET |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| CSD18534KCS | Виробник : Texas Instruments |
Транзистор польовий потужний MOSFET, N-Ch, TO-220; 60 В; 73 A; 0.0102 Ohm; Pd=107W |
на замовлення 994 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
CSD18534KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
CSD18534KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
CSD18534KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| CSD18534KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 164A; 107W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Pulsed drain current: 164A Power dissipation: 107W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.3mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Heatsink thickness: 1.14...1.4mm кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| CSD18534KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 164A; 107W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Pulsed drain current: 164A Power dissipation: 107W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.3mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
товар відсутній |