CSD19506KCS Texas Instruments
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 170.87 грн |
| 5+ | 125.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD19506KCS Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19506KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.002 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції CSD19506KCS за ціною від 133.52 грн до 428.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD19506KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
 Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19506KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.002 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD19506KCS | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET 80V N-CH Power MOSFET |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD19506KCS | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 40 V |
на замовлення 152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD19506KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 150A; 375W; TO220-3 Mounting: THT Case: TO220-3 Kind of package: tube Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.12µC Technology: NexFET™ Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 150A On-state resistance: 2mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD19506KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 150A; 375W; TO220-3 Mounting: THT Case: TO220-3 Kind of package: tube Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.12µC Technology: NexFET™ Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 150A On-state resistance: 2mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD19506KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| CSD19506KCS | Виробник : Texas Instruments |
Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 2,8mOhm; 273A; 375W; -55°C ~ 175°C; CSD19506KCS TCSD19506kcs кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
CSD19506KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
CSD19506KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
CSD19506KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |