CSD25202W15T

CSD25202W15T Texas Instruments


suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25202w15 Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-DSBGA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
565+35.34 грн
Мінімальне замовлення: 565
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD25202W15T Texas Instruments

Description: MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA, Supplier Device Package: 9-DSBGA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V.

Інші пропозиції CSD25202W15T за ціною від 34.61 грн до 82.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
CSD25202W15T CSD25202W15T Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25202w15 Description: MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-DSBGA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
250+51.55 грн
500+ 42.49 грн
1250+ 34.61 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD25202W15T CSD25202W15T Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25202w15 Description: MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-DSBGA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.33 грн
10+ 64.47 грн
100+ 50.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD25202W15T Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25202w15 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -38A; 0.5W; DSBGA9
Case: DSBGA9
Mounting: SMD
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -38A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD25202W15T CSD25202W15T Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25202w15 MOSFET 20V PCh NexFET Pwr MOSFET
товар відсутній
CSD25202W15T Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25202w15 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -38A; 0.5W; DSBGA9
Case: DSBGA9
Mounting: SMD
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -38A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
товар відсутній