на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 154.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD88584Q5DCT Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88584Q5DCT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 680 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 680µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 12W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: NexFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 680µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 12W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції CSD88584Q5DCT за ціною від 133.01 грн до 351.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD88584Q5DCT | Виробник : Texas Instruments |
 Description: MOSFET 2N-CH 40V 22VSON-CLIPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 22-PowerTFDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 12W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 22-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active |
на замовлення 3250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD88584Q5DCT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 22VSON-CLIP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 22-PowerTFDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 12W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 22-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active |
на замовлення 3448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD88584Q5DCT | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET 40-V, N channel synchronous buck NexFET™ power MOSFET, SON 5 mm x 6 mm Dual-Cool™ power block, 50 A 22-VSON-CLIP -55 to 150 |
на замовлення 212 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD88584Q5DCT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88584Q5DCT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 680 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 680µohm Verlustleistung, p-Kanal: 12W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: NexFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 680µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 12W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|