CY7C1041G18-15VXI Infineon Technologies


words_x_16_bit_static_ram_with_error_correcting_code_ecc.pdf Виробник: Infineon Technologies
SRAM Chip Async Single 1.8V 4M-bit 256K x 16 15ns 44-Pin SOJ Tube
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CY7C1041G18-15VXI Infineon Technologies

Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ, Packaging: Tube, Package / Case: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.2V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 44-SOJ, Write Cycle Time - Word, Page: 15ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 15 ns, Memory Organization: 256K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції CY7C1041G18-15VXI

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
CY7C1041G18-15VXI CY7C1041G18-15VXI Виробник : Infineon Technologies Infineon-CY7C1041G_CY7C1041GE_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ece32d648bc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_g Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
Packaging: Tube
Package / Case: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.2V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-SOJ
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 15 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
CY7C1041G18-15VXI CY7C1041G18-15VXI Виробник : Infineon Technologies Infineon_CY7C1041G_CY7C1041GE_4_Mbit__256K_words_1-3161331.pdf SRAM CMOS RAM W ECC 4-Mbit
товар відсутній