CY7C1041GN30-10ZSXIT Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 347.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CY7C1041GN30-10ZSXIT Infineon Technologies
Description: INFINEON - CY7C1041GN30-10ZSXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.2 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 4Mbit, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.2V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 44Pins, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit.
Інші пропозиції CY7C1041GN30-10ZSXIT за ціною від 296.34 грн до 932.58 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CY7C1041GN30-10ZSXIT | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C1041GN30-10ZSXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.2 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 4Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: -MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit |
на замовлення 574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CY7C1041GN30-10ZSXIT | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 2883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CY7C1041GN30-10ZSXIT | Виробник : Infineon Technologies | SRAM ASYNC SRAMS |
на замовлення 8085 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CY7C1041GN30-10ZSXIT | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C1041GN30-10ZSXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.2 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 4Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: -MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit |
на замовлення 574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CY7C1041GN30-10ZSXIT | Виробник : Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II |
на замовлення 485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CY7C1041GN30-10ZSXIT | Виробник : Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II |
на замовлення 485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CY7C1041GN30-10ZSXIT | Виробник : Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II |
на замовлення 1187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CY7C1041GN30-10ZSXIT | Виробник : Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
CY7C1041GN30-10ZSXIT | Виробник : INFINEON (CYPRESS) |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.2÷3.6V; 10ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Memory: 4Mb SRAM Case: TSOP44 II Mounting: SMD Memory organisation: 256kx16bit Kind of memory: SRAM Kind of interface: parallel Operating voltage: 2.2...3.6V Access time: 10ns кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
CY7C1041GN30-10ZSXIT | Виробник : Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
CY7C1041GN30-10ZSXIT | Виробник : INFINEON (CYPRESS) |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.2÷3.6V; 10ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Memory: 4Mb SRAM Case: TSOP44 II Mounting: SMD Memory organisation: 256kx16bit Kind of memory: SRAM Kind of interface: parallel Operating voltage: 2.2...3.6V Access time: 10ns |
товар відсутній |