CY7C1062G30-10BGXI Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 119PBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 119-BGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 119-PBGA (14x22)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 512K x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 119PBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 119-BGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 119-PBGA (14x22)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 512K x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3821.76 грн |
10+ | 3413.1 грн |
25+ | 3291.16 грн |
40+ | 3011.74 грн |
84+ | 2638.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CY7C1062G30-10BGXI Infineon Technologies
Description: INFINEON - CY7C1062G30-10BGXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 16 Mbit, 512K x 32 Bit, BGA, 119 Pin(s), 2.2 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: BGA, Speicherdichte: 16Mbit, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.2V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 119Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 512K x 32 Bit.
Інші пропозиції CY7C1062G30-10BGXI за ціною від 2628.39 грн до 5808.48 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CY7C1062G30-10BGXI | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C1062G30-10BGXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 16 Mbit, 512K x 32 Bit, BGA, 119 Pin(s), 2.2 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 16Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: -MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 119Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 32 Bit |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CY7C1062G30-10BGXI | Виробник : Infineon Technologies | SRAM 16Mb Fast SRAM With ECC |
на замовлення 870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CY7C1062G30-10BGXI | Виробник : Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 16M-bit 512K x 32 10ns 119-Pin BGA Tray |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CY7C1062G30-10BGXI | Виробник : Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 16M-bit 512K x 32 10ns 119-Pin BGA Tray |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
CY7C1062G30-10BGXI | Виробник : Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 16M-bit 512K x 32 10ns 119-Pin BGA Tray |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
CY7C1062G30-10BGXI | Виробник : Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 16M-bit 512K x 32 10ns 119-Pin BGA Tray |
товар відсутній |