D44H8G ON Semiconductor
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 28.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис D44H8G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - D44H8G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 10 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 10A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції D44H8G за ціною від 25.57 грн до 107.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
D44H8 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans GP BJT NPN 60V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
D44H8 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
D44H8 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - D44H8 - TRANSISTOR, NPN, 8A 60V TO-220 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
D44H8 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
D44H8G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
D44H8G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
D44H8G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 50W NPN |
на замовлення 879 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
D44H8 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
D44H8G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - D44H8G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 10 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
D44H8 | Виробник : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT Gen Low Voltage PWR 60V Vceo 10A Ic |
на замовлення 1921 шт: термін постачання 606-615 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
D44H8 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
D44H8G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
D44H8G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
D44H8G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
D44H8G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 50W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 10A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
D44H8G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 10A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
D44H8 Код товару: 35926 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
|
|
D44H8 | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT Power Transistor |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
D44H8 Код товару: 190932 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
D44H8 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 50W; TO220 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 10A Power dissipation: 50W Case: TO220 Mounting: THT Kind of package: tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
D44H8 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 10A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
D44H8 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 60V 10A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 50 W |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
D44H8 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 50W; TO220 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 10A Power dissipation: 50W Case: TO220 Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
D44H8 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
D44H8 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
D44H8 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
D44H8G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 50W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 10A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube |
товар відсутній |