DAP222T1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 10 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 10 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.63 грн |
6000+ | 2.28 грн |
15000+ | 1.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DAP222T1G onsemi
Description: ONSEMI - DAP222T1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOT-416, Durchlassstoßstrom: 2A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.2V, Sperrverzögerungszeit: 4ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції DAP222T1G за ціною від 1.25 грн до 15.13 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DAP222T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - DAP222T1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-416 Durchlassstoßstrom: 2A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 43190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DAP222T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - DAP222T1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-416 Durchlassstoßstrom: 2A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 43190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DAP222T1G | Виробник : onsemi | Diodes - General Purpose, Power, Switching 80V 100mA |
на замовлення 121971 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DAP222T1G | Виробник : onsemi |
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC75 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 10 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC) Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V |
на замовлення 26625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DAP222T1G | Виробник : ON | 05+06+ |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
DAP222T1G | Виробник : ON Semiconductor | Rectifier Diode Small Signal Switching 80V 0.1A 4ns 3-Pin SOT-416 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
DAP222T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 80V; 100mA; 4ns; SC75; Ufmax: 1.2V; Ifsm: 2A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Case: SC75 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.15W Features of semiconductor devices: ultrafast switching Capacitance: 3.5pF Max. off-state voltage: 80V Max. load current: 0.3A Max. forward voltage: 1.2V Load current: 0.1A Semiconductor structure: common anode; double Reverse recovery time: 4ns Max. forward impulse current: 2A кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
DAP222T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 80V; 100mA; 4ns; SC75; Ufmax: 1.2V; Ifsm: 2A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Case: SC75 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.15W Features of semiconductor devices: ultrafast switching Capacitance: 3.5pF Max. off-state voltage: 80V Max. load current: 0.3A Max. forward voltage: 1.2V Load current: 0.1A Semiconductor structure: common anode; double Reverse recovery time: 4ns Max. forward impulse current: 2A |
товар відсутній |