Продукція > INFINEON > DF23MR12W1M1B11BPSA1
DF23MR12W1M1B11BPSA1

DF23MR12W1M1B11BPSA1 INFINEON

2723110.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DF23MR12W1M1B11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, Module
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: EasyPACK CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3867.8 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DF23MR12W1M1B11BPSA1 INFINEON

Description: INFINEON - DF23MR12W1M1B11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, Module, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: EasyPACK CoolSiC, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції DF23MR12W1M1B11BPSA1 за ціною від 5424.11 грн до 6622.5 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DF23MR12W1M1B11BPSA1 DF23MR12W1M1B11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-DF23MR12W1M1_B11-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d31b3bcf7559e Description: SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V (Typ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 10mA
Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2
Part Status: Obsolete
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+5623.07 грн
DF23MR12W1M1B11BPSA1 DF23MR12W1M1B11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-DF23MR12W1M1_B11-DS-v02_04-EN-1140627.pdf Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+6622.5 грн
10+ 6238.49 грн
24+ 5424.11 грн
DF23MR12W1M1B11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-df23mr12w1m1_b11-ds-v02_04-en.pdf Silicon Carbide Power Mosfet
товар відсутній