DG15X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 15A; 138W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector current: 15A
Case: TO247
Mounting: THT
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 103ns
Turn-off time: 484ns
Collector-emitter voltage: 1200V
Power dissipation: 138W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 15A; 138W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector current: 15A
Case: TO247
Mounting: THT
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 103ns
Turn-off time: 484ns
Collector-emitter voltage: 1200V
Power dissipation: 138W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 199.96 грн |
3+ | 166.9 грн |
7+ | 125.18 грн |
18+ | 118.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DG15X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 1200V; 15A; 138W; TO247, Type of transistor: IGBT, Collector current: 15A, Case: TO247, Mounting: THT, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 45A, Turn-on time: 103ns, Turn-off time: 484ns, Collector-emitter voltage: 1200V, Power dissipation: 138W, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Kind of package: tube, Gate charge: 0.12µC, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції DG15X12T2 за ціною від 141.87 грн до 249.39 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DG15X12T2 | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1200V; 15A; 138W; TO247 Type of transistor: IGBT Collector current: 15A Case: TO247 Mounting: THT Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Turn-on time: 103ns Turn-off time: 484ns Collector-emitter voltage: 1200V Power dissipation: 138W Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
DG15X12T2 | Виробник : STARPOWER |
Description: STARPOWER - DG15X12T2 - IGBT, 30 A, 1.75 V, 138 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) MSL: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75 Verlustleistung Pd: 138 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: DOSEMI Trench DC-Kollektorstrom: 30 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|