DG40X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 468W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector current: 40A
Case: TO247
Mounting: THT
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 198ns
Turn-off time: 668ns
Collector-emitter voltage: 1200V
Power dissipation: 468W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Gate charge: 0.27µC
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 375.48 грн |
| 3+ | 314.15 грн |
| 4+ | 233.64 грн |
| 10+ | 220.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DG40X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Description: STARPOWER - DG40X12T2 - IGBT, 80 A, 1.75 V, 487 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 487, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: DOSEMI Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції DG40X12T2 за ціною від 264.84 грн до 450.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DG40X12T2 | Виробник : STARPOWER |
Description: STARPOWER - DG40X12T2 - IGBT, 80 A, 1.75 V, 487 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage hazardous: false Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 487 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: DOSEMI Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DG40X12T2 | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 468W; TO247 Type of transistor: IGBT Collector current: 40A Case: TO247 Mounting: THT Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Turn-on time: 198ns Turn-off time: 668ns Collector-emitter voltage: 1200V Power dissipation: 468W Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Kind of package: tube Gate charge: 0.27µC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 59 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|