DMC2710UV-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 460mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.43 грн |
| 6000+ | 6.05 грн |
| 9000+ | 5.36 грн |
| 30000+ | 4.97 грн |
| 75000+ | 4.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMC2710UV-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel Complementary, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 460mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 800mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-563.
Інші пропозиції DMC2710UV-7 за ціною від 4.85 грн до 28.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMC2710UV-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 460mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 800mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 |
на замовлення 125578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMC2710UV-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R 3K |
на замовлення 3347 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|