на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.42 грн |
| 6000+ | 3.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMC3400SDW-7 Diodes Inc
Description: DIODES INC. - DMC3400SDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 650mA, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm, Verlustleistung Pd: 310mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung, p-Kanal: 310mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 310mW, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DMC3400SDW-7 за ціною від 2.94 грн до 34.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMC3400SDW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.65A SOT363Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 310mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA, 450mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 7185393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMC3400SDW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Mounting: SMD Case: SOT363 Kind of channel: enhanced Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of transistor: complementary pair Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 0.5/-0.36A On-state resistance: 0.4/0.9Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.39W Polarisation: unipolar |
на замовлення 1580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMC3400SDW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Mounting: SMD Case: SOT363 Kind of channel: enhanced Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of transistor: complementary pair Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 0.5/-0.36A On-state resistance: 0.4/0.9Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.39W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1580 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMC3400SDW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.65A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 310mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA, 450mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 7203542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMC3400SDW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET 30V Comp Pair Enh 20Vgs 55pF 0.6nC |
на замовлення 118960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMC3400SDW-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3400SDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 650mA Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm Verlustleistung Pd: 310mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung, p-Kanal: 310mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 310mW Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 13796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|